ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子被“敲击”出来，终沉积在基板上，形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间，却能同时实现导电和透光的功能。

铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。

氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。