ITO（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）靶材是一种广泛用于透明导电薄膜材料制备的复合氧化物材料，其主要成分为氧化铟（In₂O₃）和氧化锡（SnO₂）。通常，ITO靶材中氧化铟与氧化锡的质量比例为90:10，这一比例在实际应用中表现出较为理想的光电特性，使其在透明导电薄膜中广泛应用。

氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

闭环之困：损耗与机遇并存

ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右，大量含铟废料（废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料）随之产生。过去，这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系，成为破解资源约束的黄金路径。

在堆积如山的废弃手机、平板电脑和液晶显示器深处，隐藏着一种被称为“电子时代血脉”的稀有金属——铟。它虽在自然界中踪迹难寻，却在ITO靶材（氧化铟锡）中扮演着不可替代的角色，驱动着全球亿万块液晶屏幕的清晰成像。随着电子产品更新换代加速，一条从“电子垃圾”到“战略资源”的铟回收产业链正悄然崛起，成为保障产业与生态可持续的关键密码。