从物理性质上看，ITO靶材具有以下几个显著特点：

高透明度：在可见光范围内（波长400-700纳米），ITO薄膜的透光率可高达90%以上，几乎与普通玻璃相当。

优异导电性：其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级，远低于大多数透明材料。

化学稳定性：在常温下，ITO对水、氧气等环境因素表现出良好的抗腐蚀能力。

机械耐久性：ITO薄膜具备一定的硬度和耐磨性，能够应对日常使用中的轻微刮擦。

这些特性让ITO靶材在实际应用中游刃有余，尤其是在需要兼顾光学和电学性能的场景中。

ITO靶材的核心用途是在磁控溅射工艺中作为“溅射源”。磁控溅射是一种常见的薄膜沉积技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子被“敲击”出来，终沉积在基板上，形成一层均匀的ITO薄膜。这层薄膜厚度通常在几十到几百纳米之间，却能同时实现导电和透光的功能。

制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。

目前，ITO靶材的制备主要有两种常见方法：热压烧结法和冷等静压法。

热压烧结法

工艺流程：将氧化铟和氧化锡粉末按比例混合后，放入模具，在高温（1000-1500°C）和高压（几十到几百兆帕）下压制成型。高温使粉末颗粒熔融结合，形成致密的靶材结构。

优点：这种方法制备的靶材密度接近理论值（通常超过99%），晶粒分布均匀，适合高精度镀膜需求。

缺点：设备复杂，能耗高，生产成本较高。

适用场景：高端电子产品，如智能手机、平板电脑的显示屏制造。