ITO靶材，全称氧化铟锡靶材，是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡（简称ITO）是一种n型半导体材料，通常由90%的氧化铟（In₂O₃）和10%的氧化锡（SnO₂）组成。这种材料以其的透明度和导电性，成为现代电子工业中不可或缺的组成部分。无论是智能手机的触摸屏、平板电脑的显示面板，还是太阳能电池的透明电极，ITO靶材都以其独特的功能支撑着这些设备的运行。

冷等静压法

工艺流程：将混合粉末装入柔性模具，在室温下通过高压（100-300兆帕）压制成型，随后在较低温度下烧结固化。

优点：工艺相对简单，生产成本较低，适合小批量或定制化生产。

缺点：靶材密度和均匀性稍逊，可能在高功率溅射中表现不够稳定。

适用场景：中低端电子产品或实验室研发用靶材。

这两种方法各有千秋，制造商需要根据具体需求权衡成本与性能。

铟回收面临的主要挑战包括铟在电子设备中的低浓度和与其他金属的合金化。传统的回收方法难以有效提取，需要采用湿法冶金或火法冶金等先进技术。同时，回收过程中需确保电子废物流的分类和处理，以减少污染物对回收过程的影响。

透明导电薄膜在现代光电行业中具有至关重要的地位，是触摸屏、显示器和太阳能电池等设备中的核心组件。ITO靶材凭借其出色的透明导电特性成为制备透明导电薄膜的材料。