制备完成后，ITO靶材在实际应用中还会遇到一些问题：

溅射不均匀：如果靶材内部存在微小缺陷或成分偏差，溅射过程中可能出现局部过热，导致薄膜厚度不一致。

靶材破裂：在高功率溅射时，靶材承受的热应力可能超出其极限，造成破裂，进而影响生产线的连续性。

资源限制：ITO靶材依赖铟这种稀有金属，而铟的全球储量有限，价格波动较大。这不仅推高了成本，也促使业界寻找替代方案。

铟靶材主要由金属铟制成，具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属，铟在自然界的含量稀少，但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域，是制造高性能电子元器件的关键材料。

氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

闭环之困：损耗与机遇并存

ITO靶材在溅射镀膜过程中利用率通常仅30%左右，大量含铟废料（废旧靶材、边角料、镀膜腔室废料）随之产生。过去，这些价值的废料往往被简单处理或堆积。建立从“废靶材→再生铟→新靶材”的闭环体系，成为破解资源约束的黄金路径。